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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N5191
2N5191 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N5191 - Central Semiconductor Corp

fabbricante Modello di prodotti
2N5191
fabbricante
Central Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-2N5191
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 60V 4A TO126
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-225AA, TO-126-3
Scheda dati
2N5190(R) -2N5192(R).pdf
In magazzino: 4380

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N5191
Specifiche tecniche Central Semiconductor Corp - 2N5191, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Central Semiconductor Corp - 2N5191

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Central Semiconductor  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.4V @ 1A, 4A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-126  
Serie -  
Potenza - Max 40 W  
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 2MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 1.5A, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Central Semiconductor Corp 2N5191

Proprietà del prodotto 2N5191 2N5195 2N5191 2N5190
Modello di prodotti 2N5191 2N5195 2N5191 2N5190
fabbricante Central Semiconductor Corp onsemi onsemi Central Semiconductor Corp
Frequenza - transizione 2MHz 2MHz 2MHz 2MHz
Potenza - Max 40 W 40 W 40 W 40 W
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V 80 V 60 V 40 V
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA 1mA 1mA 1mA
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A 4 A 4 A 4 A
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
Serie - - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.4V @ 1A, 4A 600mV @ 150mA, 1.5A 600mV @ 150mA, 1.5A 1.4V @ 1A, 4A
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 1.5A, 2V 20 @ 1.5A, 2V 25 @ 1.5A, 2V 25 @ 1.5A, 2V
Tipo transistor NPN PNP NPN NPN

2N5191 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N5191 PDF e la documentazione Central Semiconductor Corp per 2N5191 - Central Semiconductor Corp.

Informazioni ambientali
RoHS Cert.pdf
Schede tecniche
2N5190(R) -2N5192(R).pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Device EOL 11/Aug/2016.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Wafer Chgs 11/Jun/2019.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Central Semiconductor Corp
32D-2N5191

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