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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFNE662M04-T2-A
CEL
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NE662M04-T2-A - CEL

fabbricante Modello di prodotti
NE662M04-T2-A
fabbricante
CEL (California Eastern Laboratories)
Allelco Modello di prodotti
32D-NE662M04-T2-A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-343F
Scheda dati
RF and Wireless Semicond.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NE662M04-T2-A
Specifiche tecniche CEL - NE662M04-T2-A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad CEL - NE662M04-T2-A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante CEL (California Eastern Laboratories)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 3.3V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore M04  
Serie -  
Potenza - Max 115mW  
Contenitore / involucro SOT-343F  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Di rumore (dB tip @ f) 1.1dB @ 2GHz  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno 17dB  
Frequenza - transizione 25GHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2V  
Corrente - collettore (Ic) (max) 35mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di CEL NE662M04-T2-A

Proprietà del prodotto NE662M04-T2-A NE67839-T1-A NE68030-T1-A NE68033-T1B-A
Modello di prodotti NE662M04-T2-A NE67839-T1-A NE68030-T1-A NE68033-T1B-A
fabbricante CEL CEL CEL CEL
Guadagno 17dB 10dB 9.4dB 8dB
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 3.3V 6V 10V 10V
Frequenza - transizione 25GHz 12GHz 10GHz 10GHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f) 1.1dB @ 2GHz 1.5dB @ 2GHz 1.9dB @ 2GHz 1.8dB @ 2GHz
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 115mW 200mW 150mW 200mW
Serie - - - -
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Corrente - collettore (Ic) (max) 35mA 100mA 35mA 35mA
Contenitore dispositivo fornitore M04 SOT-143 SOT-323 SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2V 75 @ 30mA, 3V 50 @ 5mA, 3V 50 @ 10mA, 6V
Contenitore / involucro SOT-343F TO-253-4, TO-253AA SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NE662M04-T2-A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NE662M04-T2-A PDF e la documentazione CEL per NE662M04-T2-A - CEL.

Schede tecniche
RF and Wireless Semicond.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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