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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaDS1250W-100IND+
DS1250W-100IND+ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DS1250W-100IND+ - Analog Devices Inc./Maxim Integrated

fabbricante Modello di prodotti
DS1250W-100IND+
fabbricante
Maxim Integrated
Allelco Modello di prodotti
32D-DS1250W-100IND+
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Scheda dati
DS1250W.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 320

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DS1250W-100IND+
Specifiche tecniche Analog Devices Inc./Maxim Integrated - DS1250W-100IND+, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Analog Devices Inc./Maxim Integrated - DS1250W-100IND+

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Maxim Integrated  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 100ns  
Tensione di alimentazione - 3V ~ 3.6V  
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Contenitore dispositivo fornitore 32-EDIP  
Serie -  
Contenitore / involucro 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 4Mbit  
Organizzazione di memoria 512K x 8  
Interfaccia di memoria Parallel  
Formato di memoria NVSRAM  
Numero di prodotto di base DS1250W  
Tempo di accesso 100 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1250W-100IND+

Proprietà del prodotto DS1250W-100IND+ DS1249Y-100# DS1250AB-70IND+ DS1250WP-150
Modello di prodotti DS1250W-100IND+ DS1249Y-100# DS1250AB-70IND+ DS1250WP-150
fabbricante Analog Devices Inc./Maxim Integrated Analog Devices Inc./Maxim Integrated Analog Devices Inc./Maxim Integrated Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Numero di prodotto di base DS1250W DS1249Y DS1250AB DS1250W
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 100ns 100ns 70ns 150ns
Tensione di alimentazione - 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 3V ~ 3.6V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 32-DIP Module (0.600', 15.24mm) 34-PowerCap™ Module
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Dimensione della memoria 4Mbit 2Mbit 4Mbit 4Mbit
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Interfaccia di memoria Parallel Parallel Parallel Parallel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Tempo di accesso 100 ns 100 ns 70 ns 150 ns
Organizzazione di memoria 512K x 8 256K x 8 512K x 8 512K x 8
Formato di memoria NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Contenitore dispositivo fornitore 32-EDIP 32-EDIP 32-EDIP 34-PowerCap Module

DS1250W-100IND+ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DS1250W-100IND+ PDF e la documentazione Analog Devices Inc./Maxim Integrated per DS1250W-100IND+ - Analog Devices Inc./Maxim Integrated.

Informazioni ambientali
Maxim Integrated REACH.pdf Maxim Integrated RoHS Cert.pdf
Note sull'applicazione
Lithium Battery Content in Maxim Products.pdf Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM.pdf NV SRAM Device Programmers.pdf Substitution Rules for Nonvolatile Memory Componen.pdf
Schede tecniche
DS1250W.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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