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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOW2918
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOW2918 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOW2918
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOW2918
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
AOW2918.pdf
TO262 Pkg Drawing.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4020

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOW2918
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW2918, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW2918

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 267W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3430 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOW29  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW2918

Proprietà del prodotto AOW2918 AOW292 AOW25S65 AOW290
Modello di prodotti AOW2918 AOW292 AOW25S65 AOW290
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numero di prodotto di base AOW29 AOW29 AOW25 AOW29
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - aMOS™ -
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 20A, 10V 4.1mOhm @ 20A, 10V 190mOhm @ 12.5A, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 267W (Tc) 1.9W (Ta), 300W (Tc) 357W (Tc) 1.9W (Ta), 500W (Tc)
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 26.4 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 90A (Tc) 14.5A (Ta), 105A (Tc) 25A (Tc) 17.5A (Ta), 140A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA 3.4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 650 V 100 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3430 pF @ 50 V 6775 pF @ 50 V 1278 pF @ 100 V 7180 pF @ 50 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 TO-262 TO-262

AOW2918 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOW2918 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOW2918 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AOW2918.pdf TO262 Pkg Drawing.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
AOT/AOW 03/Apr/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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