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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOW20C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOW20C60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOW20C60
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOW20C60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 20A TO262
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
TO262 Pkg Drawing.pdf
AOW20C60.pdf
In magazzino: 5190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOW20C60
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW20C60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOW20C60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-262  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 463W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOW20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW20C60

Proprietà del prodotto AOW20C60 AOW2502 AOW2500 AOW12N50
Modello di prodotti AOW20C60 AOW2502 AOW2500 AOW12N50
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 136 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base AOW20 AOW25 AOW25 AOW12
Dissipazione di potenza (max) 463W (Tc) 6.2W (Ta), 277W (Tc) 2.1W (Ta), 375W (Tc) 250W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 100 V 3010 pF @ 75 V 6460 pF @ 75 V 1633 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 16A (Ta), 106A (Tc) 11.5A (Ta), 152A (Tc) 12A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5.1V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V 10.7mOhm @ 20A, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V 520mOhm @ 6A, 10V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 150 V 150 V 500 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AOW20C60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOW20C60 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOW20C60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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OBS 13/Jun/2016.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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