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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOTF5N50FD
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AOTF5N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOTF5N50FD
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOTF5N50FD
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF5N50FD.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 52130

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOTF5N50FD
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF5N50FD, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF5N50FD

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOTF5  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF5N50FD

Proprietà del prodotto AOTF5N50FD AOTF7N60FD AOTF6N90 AOTF7N60
Modello di prodotti AOTF5N50FD AOTF7N60FD AOTF6N90 AOTF7N60
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 39W (Tc) 50W (Tc) 38.5W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 900 V 600 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 7A (Tc) 6A (Tc) 7A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (max) a Id 4.2V @ 250µA 4.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base AOTF5 AOTF7 AOTF6 AOTF7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 995 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1035 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 1.45Ohm @ 3.5A, 10V 2.2Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 3.5A, 10V

AOTF5N50FD Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOTF5N50FD PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOTF5N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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