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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOTF2N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOTF2N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOTF2N60
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOTF2N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
TO220F Pkg Drawing.pdf
In magazzino: 5370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOTF2N60
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF2N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF2N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOTF298  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2N60

Proprietà del prodotto AOTF2N60 AOTF298L AOTF29S50L AOTF3N100
Modello di prodotti AOTF2N60 AOTF298L AOTF29S50L AOTF3N100
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base AOTF298 AOTF298 AOTF29 AOTF3
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 100 V 500 V 1000 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - aMOS™ -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 26.6 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V 14.5mOhm @ 20A, 10V 150mOhm @ 14.5A, 10V 6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.1V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) 9A (Ta), 33A (Tc) 29A (Tc) 2.8A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 25 V 1670 pF @ 15 V 1312 pF @ 100 V 830 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc) 2.1W (Ta), 33W (Tc) 37.9W (Tc) 38W (Tc)

AOTF2N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOTF2N60 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOTF2N60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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