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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOTF10T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOTF10T60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOTF10T60
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOTF10T60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
TO220F Pkg Drawing.pdf
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOT(F)10T60.pdf
In magazzino: 4930

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOTF10T60
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10T60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 43W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOTF10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10T60

Proprietà del prodotto AOTF10T60 AOTF10N90 AOTF11C60 AOTF10T60P
Modello di prodotti AOTF10T60 AOTF10N90 AOTF11C60 AOTF10T60P
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 900 V 600 V 600 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 5A, 10V 980mOhm @ 5A, 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 700mOhm @ 5A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc) 10A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base AOTF10 AOTF10 AOTF11 AOTF10
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 43W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) 43W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1346 pF @ 100 V 3160 pF @ 25 V 2010 pF @ 50 V 1595 pF @ 100 V

AOTF10T60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOTF10T60 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOTF10T60 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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TO220F Pkg Drawing.pdf TO220F Pkg Drawing.pdf AOT(F)10T60.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL Notice 22/Mar/2017.pdf

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