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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOTF10N50FD
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOTF10N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOTF10N50FD
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOTF10N50FD
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
TO220F Pkg Drawing.pdf
AOTF10N50FD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 31312

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOTF10N50FD
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10N50FD, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOTF10N50FD

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOTF10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10N50FD

Proprietà del prodotto AOTF10N50FD AOTF10N60CL AOTF10N60 AOTF10N60L
Modello di prodotti AOTF10N50FD AOTF10N60CL AOTF10N60 AOTF10N60L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (th) (max) a Id 4.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tj) 10A (Tc) 10A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base AOTF10 AOTF10 AOTF10 AOTF10
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 600 V 600 V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

AOTF10N50FD Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOTF10N50FD PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOTF10N50FD - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220F Pkg Drawing.pdf AOTF10N50FD.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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