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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT8N65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT8N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT8N65
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT8N65
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOT(F)8N65(L).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 57420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT8N65
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT8N65, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT8N65

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.15Ohm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT8  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT8N65

Proprietà del prodotto AOT8N65 AOT8N80L AOT7S60L AOT9N50
Modello di prodotti AOT8N65 AOT8N80L AOT7S60L AOT9N50
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V 372 pF @ 100 V 1042 pF @ 25 V
Serie - - aMOS™ -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 1.15Ohm @ 4A, 10V 1.63Ohm @ 4A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base AOT8 AOT8 AOT7 AOT9
Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) 245W (Tc) 104W (Tc) 192W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 800 V 600 V 500 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 7.4A (Tc) 7A (Tc) 9A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4.5V @ 250µA

AOT8N65 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT8N65 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT8N65 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220 Pkg Drawing.pdf AOT(F)8N65(L).pdf

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