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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT66613L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT66613L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT66613L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT66613L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AOT66613L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26396

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT66613L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT66613L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT66613L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie AlphaSGT™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 260W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44.5A (Ta), 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT66613  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT66613L

Proprietà del prodotto AOT66613L AOT5N60 AOT7N60 AOT5N100
Modello di prodotti AOT66613L AOT5N60 AOT7N60 AOT5N100
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Numero di prodotto di base AOT66613 AOT5 AOT7 AOT5
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Serie AlphaSGT™ - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 260W (Tc) 132W (Tc) 192W (Tc) 195W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V 1.8Ohm @ 2.5A, 10V 1.2Ohm @ 3.5A, 10V 4.2Ohm @ 2.5A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 30 V 700 pF @ 25 V 1035 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 44.5A (Ta), 120A (Tc) 5A (Tc) 7A (Tc) 4A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 600 V 600 V 1000 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V

AOT66613L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT66613L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT66613L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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