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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT502
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT502 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT502
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT502
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 33V 9A/60A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AOT502.pdf
In magazzino: 5330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT502
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT502, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT502

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta), 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 33 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT502

Proprietà del prodotto AOT502 AOT5N100 AOT500 AOT5N60
Modello di prodotti AOT502 AOT5N100 AOT500 AOT5N60
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tensione drain-source (Vdss) 33 V 1000 V 33 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta), 79W (Tc) 195W (Tc) 115W (Tc) 132W (Tc)
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 15 V 1150 pF @ 25 V 5500 pF @ 15 V 700 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base AOT5 AOT5 AOT5 AOT5
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 60A (Tc) 4A (Tc) 80A (Tc) 5A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 11.5mOhm @ 30A, 10V 4.2Ohm @ 2.5A, 10V 5.3mOhm @ 30A, 10V 1.8Ohm @ 2.5A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) - ±30V - ±30V

AOT502 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT502 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT502 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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