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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOT2502L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOT2502L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOT2502L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOT2502L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 18.5/106A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220 Pkg Drawing.pdf
AOB2502L, AOT2502L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 18874

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOT2502L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT2502L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT2502L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 5.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 277W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3010 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18.5A (Ta), 106A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOT2502  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2502L

Proprietà del prodotto AOT2502L AOT25S65L AOT260L AOT2606L
Modello di prodotti AOT2502L AOT25S65L AOT260L AOT2606L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V 190mOhm @ 12.5A, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 26.4 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 650 V 60 V 60 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 5.1V @ 250µA 4V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 277W (Tc) 357W (Tc) 1.9W (Ta), 330W (Tc) 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18.5A (Ta), 106A (Tc) 25A (Tc) 20A (Ta), 140A (Tc) 13A (Ta), 72A (Tc)
Numero di prodotto di base AOT2502 AOT25S65 AOT260 AOT2606
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3010 pF @ 75 V 1278 pF @ 100 V 14200 pF @ 30 V 4050 pF @ 30 V
Serie - aMOS™ - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AOT2502L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOT2502L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOT2502L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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