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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAONR21117
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AONR21117 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AONR21117
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AONR21117
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
AONR21117.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 87800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AONR21117
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR21117, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR21117

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3x3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 43W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26.5A (Ta), 34A (Tc)  
Numero di prodotto di base AONR211  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21117

Proprietà del prodotto AONR21117 AONR21305C AONR21321 AONR32314
Modello di prodotti AONR21117 AONR21305C AONR21321 AONR32314
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel - P-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN - 8-PowerVDFN 8-SMD, Flat Lead
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA - 2.3V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 43W (Tc) - 4.1W (Ta), 24W (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6560 pF @ 10 V - 1180 pF @ 15 V 1420 pF @ 15 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 4.5V - 16.5mOhm @ 12A, 10V 8.7mOhm @ 17A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V - 30 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26.5A (Ta), 34A (Tc) - 24A (Tc) 17A (Ta), 30A (Tc)
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base AONR211 AONR213 AONR213 AONR323
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3x3) - 8-DFN-EP (3x3) 8-DFN (3x3)
Vgs (Max) ±8V - ±25V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 4.5 V - 34 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V

AONR21117 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AONR21117 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AONR21117 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
AONyyy 19-Oct-2019.pdf
Schede tecniche
AONR21117.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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