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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAON6702
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON6702 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON6702
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON6702
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 26A/85A 8DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerSMD, Flat Leads
Scheda dati
AON6702.pdf
In magazzino: 5360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AON6702
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6702, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6702

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6)  
Serie SRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 83W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerSMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7080 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 85A (Tc)  
Numero di prodotto di base AON67  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6702

Proprietà del prodotto AON6702 AON6598 AON6596 AON6590
Modello di prodotti AON6702 AON6598 AON6596 AON6590
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 20A, 10V - 7.5mOhm @ 20A, 10V 0.99mOhm @ 20A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V - 30 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 85A (Tc) - 20A (Ta), 35A (Tc) 67A (Ta), 100A (Tc)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Serie SRFET™ - - -
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 83W (Tc) - 5W (Ta), 41W (Tc) 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerSMD, Flat Leads - 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) - 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6)
Caratteristica FET Schottky Diode (Body) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base AON67 AON659 AON659 AON659
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7080 pF @ 15 V - 1150 pF @ 15 V 8320 pF @ 20 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AON6702 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON6702 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON6702 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AON6702.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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