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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAON6532P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON6532P - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON6532P
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON6532P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 68A 8DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
AON6532P.pdf
In magazzino: 3920

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AON6532P
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6532P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6532P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 710mV @ 1A  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35.5W (Tc)  
Contenitore / involucro -  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc)  
Numero di prodotto di base AON653  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6532P

Proprietà del prodotto AON6532P AON6544 AON6528 AON6542
Modello di prodotti AON6532P AON6544 AON6528 AON6542
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc) 60A (Ta), 85A (Tc) 30A (Tc) 23A (Ta), 30A (Tc)
Contenitore / involucro - 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads 8-PowerSMD, Flat Leads
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 15 V 5910 pF @ 15 V 1037 pF @ 15 V 951 pF @ 15 V
Numero di prodotto di base AON653 AON654 AON652 AON654
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V 1.4mOhm @ 20A, 10V 6.3mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 710mV @ 1A 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Serie - AlphaMOS AlphaMOS -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 35.5W (Tc) 7.4W (Ta), 83W (Tc) 25W (Tc) 4.1W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

AON6532P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON6532P PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON6532P - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 27/Oct/2016.pdf Mult Dev LTB Update 12/Mar/2018.pdf

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