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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAON5810
AON5810 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON5810 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON5810
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON5810
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WFDFN Exposed Pad
Scheda dati
AON5810.pdf
In magazzino: 4220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AON5810
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5810, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON5810

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x5)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 7.7A, 4.5V  
Potenza - Max 1.6W  
Contenitore / involucro 6-WFDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base AON581  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5810

Proprietà del prodotto AON5810 AON5816 AON5802ALS AON5820
Modello di prodotti AON5810 AON5816 AON5802ALS AON5820
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base AON581 AON581 AON5802 AON582
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.1nC @ 4.5V 35nC @ 4.5V - 15nC @ 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V - 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.3V @ 250µA - 1V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A 12A (Ta) - 10A
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5) 6-DFN-EP (2x5)
Contenitore / involucro 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad 6-WFDFN Exposed Pad
Potenza - Max 1.6W 1.7W - 1.7W
Serie - - * -
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 7.7A, 4.5V 6.5mOhm @ 12A, 4.5V - 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 10V 2170pF @ 10V - 1510pF @ 10V

AON5810 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON5810 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON5810 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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