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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAON3810
AON3810 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON3810 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON3810
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON3810
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
AON3810.pdf
In magazzino: 4220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AON3810
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON3810, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON3810

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (3x3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base AON381  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3810

Proprietà del prodotto AON3810 AON3818 AON3816 AON3611
Modello di prodotti AON3810 AON3818 AON3816 AON3611
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 8A - 5A, 6A
Potenza - Max 2.5W 2.7W 2.5W 2.1W, 2.5W
Tensione drain-source (Vdss) 20V 24V 20V 30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - AlphaMOS - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (3x3) 8-DFN (3x3) 8-DFN (3x3) 8-DFN (3x3)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain N and P-Channel, Common Drain
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V 13.5mOhm @ 8A, 4.5V 22mOhm @ 4A, 4.5V 50mOhm @ 5A, 10V
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base AON381 AON381 AON381 AON361
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 13nC @ 4.5V 10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V 840pF @ 12V 1100pF @ 10V 170pF @ 15V

AON3810 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON3810 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON3810 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AON3810.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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