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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAON1611
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AON1611 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AON1611
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AON1611
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-PowerUFDFN
Scheda dati
AON1611.pdf
In magazzino: 4810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AON1611
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON1611, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON1611

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN (1.6x1.6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 58mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-PowerUFDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Numero di prodotto di base AON16  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON1611

Proprietà del prodotto AON1611 AON2410 AON1610 AON2401
Modello di prodotti AON1611 AON2410 AON1610 AON2401
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.2V, 2.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 58mOhm @ 4A, 4.5V 21mOhm @ 8A, 4.5V 29mOhm @ 4A, 4.5V 22mOhm @ 8A, 2.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 10 V 813 pF @ 15 V 748 pF @ 10 V 1465 pF @ 4 V
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.1V @ 250µA 650mV @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) 2.8W (Ta) 1.8W (Ta) 2.8W (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base AON16 AON24 AON16 AON24
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 6-PowerUFDFN 6-UDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN 6-UDFN Exposed Pad
Contenitore dispositivo fornitore 6-DFN (1.6x1.6) 6-DFN (2x2) 6-DFN (1.6x1.6) 6-DFN (2x2)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 8 V
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 8A (Ta) 4A (Ta) 8A (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V ±5V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

AON1611 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AON1611 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AON1611 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Schede tecniche
AON1611.pdf

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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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