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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAOE6930
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOE6930 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOE6930
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOE6930
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
AOE6930.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 44045

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOE6930
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6930, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOE6930

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6)  
Serie AlphaMOS  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V  
Potenza - Max 24W, 75W  
Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc), 85A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical  
Numero di prodotto di base AOE693  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6930

Proprietà del prodotto AOE6930 DMN63D8LDW-7 PMDPB80XP,115 IRF9910PBF
Modello di prodotti AOE6930 DMN63D8LDW-7 PMDPB80XP,115 IRF9910PBF
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Diodes Incorporated Nexperia USA Inc. Infineon Technologies
Potenza - Max 24W, 75W 300mW 485mW 2W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 22pF @ 25V 550pF @ 10V 900pF @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) SOT-363 6-HUSON (2x2) 8-SO
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 20V 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc), 85A (Tc) 220mA 2.7A 10A, 12A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base AOE693 DMN63 PMDPB80 IRF99
Contenitore / involucro 8-VDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-UFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.55V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V 2.8Ohm @ 250mA, 10V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 13.4mOhm @ 10A, 10V
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 0.87nC @ 10V 8.6nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Serie AlphaMOS - - HEXFET®

AOE6930 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOE6930 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOE6930 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AOE6930.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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