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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOD4102
AOD4102 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOD4102 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOD4102
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOD4102
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AOD4102.pdf
In magazzino: 5490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOD4102
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD4102, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD4102

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (DPAK)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 37mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4.2W (Ta), 21W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta), 19A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOD41  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4102

Proprietà del prodotto AOD4102 AOD4102L AOD409G AOD409
Modello di prodotti AOD4102 AOD4102L AOD409G AOD409
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 4.2W (Ta), 21W (Tc) 4.2W (Ta), 21W (Tc) 6.2W (Ta), 60W (Tc) 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta), 19A (Tc) 8A (Ta), 19A (Tc) 9A (Ta), 28A (Tc) 26A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 15 V 432 pF @ 15 V 2350 pF @ 30 V 3600 pF @ 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 60 V 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V 8.1 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base AOD41 AOD41 AOD40 AOD40
Rds On (max) a Id, Vgs 37mOhm @ 12A, 10V 37mOhm @ 12A, 10V 40mOhm @ 20A, 10V 40mOhm @ 20A, 10V
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

AOD4102 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOD4102 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOD4102 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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