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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOD32326
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOD32326 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOD32326
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOD32326
Modello ECAD
Descrizione delle parti
30V N-CHANNEL MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AOD32326.pdf
In magazzino: 3800

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AOD32326
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD32326, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOD32326

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.2mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 6.2W (Ta), 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 46A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD32326

Proprietà del prodotto AOD32326 AOD2N100 AOD3N40 AOD2N60
Modello di prodotti AOD32326 AOD2N100 AOD3N40 AOD2N60
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 6.2mOhm @ 20A, 10V 9Ohm @ 1A, 10V 3.1Ohm @ 1A, 10V 4.4Ohm @ 1A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 1000 V 400 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252 TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK) TO-252 (DPAK)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 6.2W (Ta), 45W (Tc) 83W (Tc) 50W (Tc) 56.8W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 15 V 580 pF @ 25 V 225 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 46A (Tc) 2A (Tc) 2.6A (Tc) 2A (Tc)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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