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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciAOC4810
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOC4810 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOC4810
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOC4810
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 8-DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-XFLGA Exposed Pad
Scheda dati
AOC4810.pdf
In magazzino: 4490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOC4810
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOC4810, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOC4810

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-AlphaDFN (3.2x2)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-XFLGA Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base AOC481  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC4810

Proprietà del prodotto AOC4810 AOC2806 AOC2804 AOC2870
Modello di prodotti AOC4810 AOC2806 AOC2804 AOC2870
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 12.5nC @ 4.5V 9.5nC @ 4.5V 11.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 15V - - -
Potenza - Max 900mW 700mW 700mW 1.4W
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-AlphaDFN (3.2x2) 4-DFN (1.7x1.7) 4-DFN (1.5x1.5) 4-DFN (1.7x1.7)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-XFLGA Exposed Pad 4-XDFN 4-XDFN 4-XDFN
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Tensione drain-source (Vdss) - - - -
Numero di prodotto di base AOC481 AOC280 AOC280 AOC287
Rds On (max) a Id, Vgs - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id - - - 1.3V @ 250µA
Serie - AlphaMOS AlphaMOS AlphaMOS

AOC4810 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOC4810 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOC4810 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
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Informazioni ambientali
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EOL 12/Jul/2016.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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