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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOB412L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOB412L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOB412L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOB412L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AOB412L.pdf
In magazzino: 4040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOB412L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB412L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB412L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie SDMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.6W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A (Ta), 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOB412  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB412L

Proprietà del prodotto AOB412L AOB416 AOB4184 AOB414
Modello di prodotti AOB412L AOB416 AOB4184 AOB414
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.6W (Ta), 150W (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie SDMOS™ SDMOS™ - SDMOS™
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 7V, 10V 4.5V, 10V 7V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 100 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A (Ta), 60A (Tc) 6.2A (Ta), 45A (Tc) 12A (Ta), 50A (Tc) 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 20A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 25mOhm @ 20A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 50 V 1450 pF @ 50 V 1800 pF @ 20 V 2200 pF @ 50 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base AOB412 AOB41 AOB41 AOB41

AOB412L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOB412L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOB412L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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