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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOB2910L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOB2910L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOB2910L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOB2910L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 100V 6A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT/AOB/AOTF2910L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOB2910L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB2910L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB2910L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 23.5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOB2910  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2910L

Proprietà del prodotto AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB288L
Modello di prodotti AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB288L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA 3.9V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 50 V 3430 pF @ 50 V 6775 pF @ 50 V 1871 pF @ 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Numero di prodotto di base AOB2910 AOB2918 AOB292 AOB288
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 30A (Tc) 13A (Ta), 90A (Tc) 14.5A (Ta), 105A (Tc) 10.5A (Ta), 46A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 80 V
Rds On (max) a Id, Vgs 23.5mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 4.1mOhm @ 20A, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 50W (Tc) 2.1W (Ta), 267W (Tc) 2.1W (Ta), 300W (Tc) 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

AOB2910L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOB2910L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOB2910L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Schede tecniche
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf AOT/AOB/AOTF2910L.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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