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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAS2302
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AS2302 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

fabbricante Modello di prodotti
AS2302
fabbricante
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Allelco Modello di prodotti
32D-AS2302
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
AS2302.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 815150

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AS2302
Specifiche tecniche ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED  
Vgs (th) (max) a Id 1.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.81 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302

Proprietà del prodotto AS2302 AS2324 AS2300EHT-ADJ AS2301
Modello di prodotti AS2302 AS2324 AS2300EHT-ADJ AS2301
fabbricante ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED ANISEM IR
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 100 V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V 280mOhm @ 2A, 10V - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V - -
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) 1.2W (Ta) - -
Vgs (Max) ±10V ±20V - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Vgs (th) (max) a Id 1.25V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 SOT-23 - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.81 nC @ 4.5 V 5.3 nC @ 10 V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 10 V 330 pF @ 50 V - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) 2A (Ta) - -

AS2302 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AS2302 PDF e la documentazione ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED per AS2302 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED.

Schede tecniche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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