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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSU1N50BTU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSU1N50BTU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
SSU1N50BTU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-SSU1N50BTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
SSU1N50BTU.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4030

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSU1N50BTU
Specifiche tecniche onsemi - SSU1N50BTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - SSU1N50BTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3Ohm @ 650mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 26W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 520 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base SSU1N50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi SSU1N50BTU

Proprietà del prodotto SSU1N50BTU FQP4N20L SSU1N50BTU SSU1N60BTU
Modello di prodotti SSU1N50BTU FQP4N20L SSU1N50BTU SSU1N60BTU
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 520 V 200 V 520 V 600 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK TO-220-3 I-PAK I-PAK
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V 215 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Tc) 3.8A (Tc) 1.3A (Tc) 900mA (Tc)
Serie - QFET® - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 26W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-220-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.3Ohm @ 650mA, 10V 1.35Ohm @ 1.9A, 10V 5.3Ohm @ 650mA, 10V 12Ohm @ 450mA, 10V
Numero di prodotto di base SSU1N50 FQP4 SSU1N50 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 5.2 nC @ 5 V 11 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V

SSU1N50BTU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSU1N50BTU PDF e la documentazione onsemi per SSU1N50BTU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Schede tecniche
SSU1N50BTU.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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