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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSR1N60BTM
SSR1N60BTM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSR1N60BTM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
SSR1N60BTM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-SSR1N60BTM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
SS(R,U)1N60B.pdf
In magazzino: 4070

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SSR1N60BTM
Specifiche tecniche onsemi - SSR1N60BTM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - SSR1N60BTM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 12Ohm @ 450mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 215 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Tc)  
Numero di prodotto di base SSR1N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi SSR1N60BTM

Proprietà del prodotto SSR1N60BTM SSR2N60BTF SSR1N60BTF SSR1N60BTM
Modello di prodotti SSR1N60BTM SSR2N60BTF SSR1N60BTF SSR1N60BTM
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base SSR1N - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 215 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 215 pF @ 25 V 215 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V 7.7 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 12Ohm @ 450mA, 10V 5Ohm @ 900mA, 10V 12Ohm @ 450mA, 10V 12Ohm @ 450mA, 10V
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252-3 (DPAK) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA (Tc) 1.8A (Tc) 900mA (Tc) 900mA (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SSR1N60BTM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SSR1N60BTM PDF e la documentazione onsemi per SSR1N60BTM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
SS(R,U)1N60B.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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