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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloSMSD602-RT1G
SMSD602-RT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SMSD602-RT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
SMSD602-RT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-SMSD602-RT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 50V 0.5A SC59
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MSD602-RT1G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 426050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SMSD602-RT1G
Specifiche tecniche onsemi - SMSD602-RT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - SMSD602-RT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore SC-59  
Serie -  
Potenza - Max 200 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base SMSD602  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi SMSD602-RT1G

Proprietà del prodotto SMSD602-RT1G SMSD1819A-RT1G SMSZ1013T1G SMSF1231XT1G
Modello di prodotti SMSD602-RT1G SMSD1819A-RT1G SMSZ1013T1G SMSF1231XT1G
fabbricante onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V - -
Frequenza - transizione - - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V 210 @ 2mA, 10V - -
Potenza - Max 200 mW 150 mW - -
Contenitore dispositivo fornitore SC-59 SC-70-3 (SOT323) - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100nA - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 100 mA - -
Tipo transistor NPN NPN - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA 500mV @ 10mA, 100mA - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 - -
temperatura di esercizio - 150°C (TJ) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk - -
Numero di prodotto di base SMSD602 - - -
Serie - - - -

SMSD602-RT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SMSD602-RT1G PDF e la documentazione onsemi per SMSD602-RT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 3/Jul/2020.pdf
Schede tecniche
MSD602-RT1G.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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