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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloSMMBT6427LT1G
SMMBT6427LT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SMMBT6427LT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
SMMBT6427LT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-SMMBT6427LT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MMBT,SMMBT6427LT1G.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 431390

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SMMBT6427LT1G
Specifiche tecniche onsemi - SMMBT6427LT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - SMMBT6427LT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.5V @ 500µA, 500mA  
Tipo transistor NPN - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Potenza - Max 225 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base SMMBT6427  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi SMMBT6427LT1G

Proprietà del prodotto SMMBT6427LT1G SMMBT5401LT1G SMMBT5551LT1G SMMBT4403LT1G
Modello di prodotti SMMBT6427LT1G SMMBT5401LT1G SMMBT5551LT1G SMMBT4403LT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V 60 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 100 @ 150mA, 2V
Potenza - Max 225 mW 300 mW 225 mW 300 mW
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.5V @ 500µA, 500mA 500mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 750mV @ 50mA, 500mA
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 500 mA 600 mA 600 mA
Serie - - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA 50nA (ICBO) 100nA -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base SMMBT6427 SMMBT5401 SMMBT5551 SMMBT4403
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V 150 V 160 V 40 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza - transizione - 300MHz - 200MHz
Tipo transistor NPN - Darlington PNP NPN PNP

SMMBT6427LT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SMMBT6427LT1G PDF e la documentazione onsemi per SMMBT6427LT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
SOT23 27/Sep/2016.pdf Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Compound Qualification 23/Jun/2019.pdf
Schede tecniche
MMBT,SMMBT6427LT1G.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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