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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSCH1333-TL-H
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SCH1333-TL-H - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
SCH1333-TL-H
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-SCH1333-TL-H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2A 6SCH
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
SCH1333-TL-H.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SCH1333-TL-H
Specifiche tecniche onsemi - SCH1333-TL-H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - SCH1333-TL-H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-SCH  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base SCH133  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi SCH1333-TL-H

Proprietà del prodotto SCH1333-TL-H SCH1337-TL-H SCH1331-TL-H SCH1345-TL-H
Modello di prodotti SCH1333-TL-H SCH1337-TL-H SCH1331-TL-H SCH1345-TL-H
fabbricante onsemi Sanyo onsemi onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 2A (Ta) 3A (Ta) 4.5A (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 10 V 5.6 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 10 V 172 pF @ 10 V 405 pF @ 6 V 1220 pF @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 4.5V 150mOhm @ 1A, 10V 84mOhm @ 1.5A, 4.5V 49mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) 800mW (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base SCH133 SCH133 - SCH134
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 6-SCH 6-SCH 6-SCH SOT-563/SCH6
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 12 V 20 V
Vgs (th) (max) a Id - - - 1.3V @ 1mA

SCH1333-TL-H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SCH1333-TL-H PDF e la documentazione onsemi per SCH1333-TL-H - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 17/Apr/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Frabrication Site Change 27/Aug/2014.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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