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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVTFS5C680NLTAG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVTFS5C680NLTAG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVTFS5C680NLTAG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVTFS5C680NLTAG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
NVTFS5C680NL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 94310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVTFS5C680NLTAG
Specifiche tecniche onsemi - NVTFS5C680NLTAG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVTFS5C680NLTAG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 26.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 20W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 327 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.82A (Ta), 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVTFS5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVTFS5C680NLTAG

Proprietà del prodotto NVTFS5C680NLTAG NVTFS5C673NLWFTAG NVTFS5C673NLTAG NVTFS5C478NLTAG
Modello di prodotti NVTFS5C680NLTAG NVTFS5C673NLWFTAG NVTFS5C673NLTAG NVTFS5C478NLTAG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.82A (Ta), 20A (Tc) 13A (Ta), 50A (Tc) 13A (Ta), 50A (Tc) 26A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 20W (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) 20W (Tc)
Numero di prodotto di base NVTFS5 NVTFS5 NVTFS5 NVTFS5
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 26.5mOhm @ 10A, 10V 9.8mOhm @ 25A, 10V 9.8mOhm @ 25A, 10V 14mOhm @ 5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 20µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 40 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 327 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NVTFS5C680NLTAG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVTFS5C680NLTAG PDF e la documentazione onsemi per NVTFS5C680NLTAG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVTFS5C680NL.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Capacity Expansion 13/Sep/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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