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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVTFS020N06CTAG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVTFS020N06CTAG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVTFS020N06CTAG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVTFS020N06CTAG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
NVTFS020N06CTAG.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 61430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVTFS020N06CTAG
Specifiche tecniche onsemi - NVTFS020N06CTAG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVTFS020N06CTAG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 20.3mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 31W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 27A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVTFS020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVTFS020N06CTAG

Proprietà del prodotto NVTFS020N06CTAG NVTA7002NT1G NVTFS4824NTWG NVTFS4C05NWFTAG
Modello di prodotti NVTFS020N06CTAG NVTA7002NT1G NVTFS4824NTWG NVTFS4C05NWFTAG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) SC-75, SOT-416 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 30 V 20 pF @ 5 V 1740 pF @ 12 V 1988 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 27A (Tc) 154mA (Tj) 18.2A (Ta) 22A (Ta), 102A (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 300mW (Tj) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 20µA 1.5V @ 100µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN SC-75, SOT-416 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 20.3mOhm @ 4A, 10V 7Ohm @ 154mA, 4.5V 4.7mOhm @ 23A, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V - 14 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base NVTFS020 NVTA7002 NVTFS4824 NVTFS4

NVTFS020N06CTAG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVTFS020N06CTAG PDF e la documentazione onsemi per NVTFS020N06CTAG - onsemi.

Informazioni ambientali
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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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