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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVMYS2D9N04CLTWG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMYS2D9N04CLTWG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMYS2D9N04CLTWG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMYS2D9N04CLTWG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1023, 4-LFPAK
Scheda dati
NVMYS2D9N04CL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 37230

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMYS2D9N04CLTWG
Specifiche tecniche onsemi - NVMYS2D9N04CLTWG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMYS2D9N04CLTWG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 60µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK4 (5x6)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 68W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-1023, 4-LFPAK  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 110A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVMYS2  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMYS2D9N04CLTWG

Proprietà del prodotto NVMYS2D9N04CLTWG NVMFSC0D9N04CL NVMTS0D7N06CLTXG NVMS5P02R2G
Modello di prodotti NVMYS2D9N04CLTWG NVMFSC0D9N04CL NVMTS0D7N06CLTXG NVMS5P02R2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V 0.87mOhm @ 50A, 10V 0.68mOhm @ 50A, 10V 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 20 V
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 68W (Tc) 4.1W (Ta), 166W (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK4 (5x6) 8-DFN (5x6.15) 8-DFNW (8.3x8.4) 8-SOIC
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Numero di prodotto di base NVMYS2 NVMFSC0 NVMTS0 NVMS5P02
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 35 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 110A (Tc) 50A (Ta), 316A (Tc) 62.2A (Ta), 477A (Tc) 3.95A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro SOT-1023, 4-LFPAK 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 60µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 20 V 6100 pF @ 25 V 16200 pF @ 25 V 1900 pF @ 16 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

NVMYS2D9N04CLTWG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMYS2D9N04CLTWG PDF e la documentazione onsemi per NVMYS2D9N04CLTWG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NVMYS2D9N04CL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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