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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVMFS6B05NT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFS6B05NT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFS6B05NT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFS6B05NT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 5DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN, 5 Leads
Scheda dati
NVMFS6B05N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFS6B05NT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFS6B05NT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFS6B05NT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 165W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 114A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVMFS6  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMFS6B05NT1G

Proprietà del prodotto NVMFS6B05NT1G NVMFS5C677NLT1G NVMFS5C682NLAFT1G NVMFS5C682NLT1G
Modello di prodotti NVMFS6B05NT1G NVMFS5C677NLT1G NVMFS5C682NLAFT1G NVMFS5C682NLT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2V @ 25µA 2V @ 16µA 2V @ 16µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 114A (Tc) 11A (Ta), 36A (Tc) 8.8A (Ta), 25A (Tc) 25A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base NVMFS6 NVMFS5 NVMFS5 NVMFS5
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 21mOhm @ 10A, 10V 21mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 165W (Tc) 3.5W (Ta), 37W (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101

NVMFS6B05NT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFS6B05NT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFS6B05NT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Schede tecniche
NVMFS6B05N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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