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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVMFS5C468NWFT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVMFS5C468NWFT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVMFS5C468NWFT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVMFS5C468NWFT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN, 5 Leads
Scheda dati
NVMFS5C468N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 46480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVMFS5C468NWFT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVMFS5C468NWFT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVMFS5C468NWFT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 28W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVMFS5  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVMFS5C468NWFT1G

Proprietà del prodotto NVMFS5C468NWFT1G NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C468NLT3G NVMFS5C612NLT3G
Modello di prodotti NVMFS5C468NWFT1G NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C468NLT3G NVMFS5C612NLT3G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base NVMFS5 NVMFS5 NVMFS5 NVMFS5
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V 1.5mOhm @ 50A, 10V 10.3mOhm @ 20A, 10V 1.5mOhm @ 50A, 10V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 6660 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 6660 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 7.3 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 28W (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 60 V 40 V 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc) 36A (Ta), 235A (Tc) 37A (Tc) 36A (Ta), 235A (Tc)

NVMFS5C468NWFT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVMFS5C468NWFT1G PDF e la documentazione onsemi per NVMFS5C468NWFT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev DryPack/Assembly Chgs 25/Feb/2021.pdf
Schede tecniche
NVMFS5C468N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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