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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVHL110N65S3F
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVHL110N65S3F - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVHL110N65S3F
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVHL110N65S3F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
NVHL110N65S3F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12770

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NVHL110N65S3F
Specifiche tecniche onsemi - NVHL110N65S3F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVHL110N65S3F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 240W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base NVHL110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVHL110N65S3F

Proprietà del prodotto NVHL110N65S3F IRF1310NSTRRPBF NVH4L080N120SC1 IRFL110TR
Modello di prodotti NVHL110N65S3F IRF1310NSTRRPBF NVH4L080N120SC1 IRFL110TR
fabbricante onsemi Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-4 TO-261-4, TO-261AA
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101 -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 400 V 1900 pF @ 25 V 1670 pF @ 800 V 180 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 56 nC @ 20 V 8.3 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 42A (Tc) 29A (Tc) 1.5A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 3mA 4V @ 250µA 4.3V @ 5mA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±20V +25V, -15V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 240W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) 170mW (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 D2PAK TO-247-4L SOT-223
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 100 V 1200 V 100 V
Numero di prodotto di base NVHL110 - NVH4L080 IRFL110
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 15A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V 110mOhm @ 20A, 20V 540mOhm @ 900mA, 10V
Caratteristica FET - - - -

NVHL110N65S3F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVHL110N65S3F PDF e la documentazione onsemi per NVHL110N65S3F - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Improve FAB Process 26/APR/2023.pdf Mult Dev DS/Doc Chgs 1/Oct/2020.pdf
Schede tecniche
NVHL110N65S3F.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mold Compound Change 24/Sep/2019.pdf
Packaging PCN
Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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