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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNVF2201NT1G
NVF2201NT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NVF2201NT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NVF2201NT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NVF2201NT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
MMBF2201NT1.pdf
In magazzino: 4620

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NVF2201NT1G
Specifiche tecniche onsemi - NVF2201NT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NVF2201NT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)  
Numero di prodotto di base NVF220  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NVF2201NT1G

Proprietà del prodotto NVF2201NT1G IPB120P04P4L03ATMA1 NVF5P03T3G NVF2955PT1G
Modello di prodotti NVF2201NT1G IPB120P04P4L03ATMA1 NVF5P03T3G NVF2955PT1G
fabbricante onsemi Infineon Technologies onsemi onsemi
Numero di prodotto di base NVF220 IPB120 NVF5P03 NVF295
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 5 V 15000 pF @ 25 V 950 pF @ 25 V 492 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 40 V 30 V 60 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta) 136W (Tc) 1.56W (Ta) 1W (Ta)
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 5.2A, 10V 185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 2.2V @ 340µA 3V @ 250µA 4V @ 1mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) 120A (Tc) 3.7A (Ta) 1.7A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323) PG-TO263-3 SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261)
Caratteristica FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101 OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA

NVF2201NT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NVF2201NT1G PDF e la documentazione onsemi per NVF2201NT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf
Schede tecniche
MMBF2201NT1.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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