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Nord America
United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaNV25256MUW3VTBG
NV25256MUW3VTBG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NV25256MUW3VTBG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NV25256MUW3VTBG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NV25256MUW3VTBG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC EEPROM 256KBIT SPI 8UDFN
Pacchetto
8-UFDFN Exposed Pad
Scheda dati
NV25256WF.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 23319

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NV25256MUW3VTBG
Specifiche tecniche onsemi - NV25256MUW3VTBG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NV25256MUW3VTBG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 5ms  
Tensione di alimentazione - 1.8V ~ 5.5V  
Tecnologia EEPROM  
Contenitore dispositivo fornitore 8-UDFN (2x3)  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Contenitore / involucro 8-UFDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 256Kbit  
Organizzazione di memoria 32K x 8  
Interfaccia di memoria SPI  
Formato di memoria EEPROM  
Frequenza dell'orologio 10 MHz  
Numero di prodotto di base NV25256  
Tempo di accesso 40 ns  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0051

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NV25256MUW3VTBG

Proprietà del prodotto NV25256MUW3VTBG BR9020RFV-WE2 SST39VF512-70-4C-WHE W631GU8KB-15
Modello di prodotti NV25256MUW3VTBG BR9020RFV-WE2 SST39VF512-70-4C-WHE W631GU8KB-15
fabbricante onsemi Rohm Semiconductor Microchip Technology Winbond Electronics
Tempo di accesso 40 ns - 70 ns 20 ns
Tensione di alimentazione - 1.8V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V 1.283V ~ 1.45V
Formato di memoria EEPROM EEPROM FLASH DRAM
Contenitore / involucro 8-UFDFN Exposed Pad 8-LSSOP (0.173', 4.40mm Width) 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 78-TFBGA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray Tray
Tecnologia EEPROM EEPROM FLASH SDRAM - DDR3L
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 5ms 10ms 20µs -
Frequenza dell'orologio 10 MHz 2 MHz - 667 MHz
Interfaccia di memoria SPI SPI Parallel Parallel
Organizzazione di memoria 32K x 8 128 x 16 64K x 8 128M x 8
Dimensione della memoria 256Kbit 2Kbit 512Kbit 1Gbit
Contenitore dispositivo fornitore 8-UDFN (2x3) 8-SSOP-B 32-TSOP 78-WBGA (10.5x8)
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Volatile
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 95°C (TC)
Serie Automotive, AEC-Q100 - SST39 MPF™ -
Numero di prodotto di base NV25256 BR9020 SST39VF512 W631GU8
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NV25256MUW3VTBG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NV25256MUW3VTBG PDF e la documentazione onsemi per NV25256MUW3VTBG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NV25256WF.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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