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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTPF082N65S3F
NTPF082N65S3F Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTPF082N65S3F - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTPF082N65S3F
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTPF082N65S3F
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 40A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
NTPF082N65S3F.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTPF082N65S3F
Specifiche tecniche onsemi - NTPF082N65S3F, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTPF082N65S3F

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 82mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTPF082  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTPF082N65S3F

Proprietà del prodotto NTPF082N65S3F NTPF125N65S3H NTPF360N80S3Z NTP90N02G
Modello di prodotti NTPF082N65S3F NTPF125N65S3H NTPF360N80S3Z NTP90N02G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 24A (Tj) 13A (Tc) 90A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube - Tube Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220FP TO-220FP TO-220
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 25.3 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 800 V 24 V
Numero di prodotto di base NTPF082 - NTPF360 NTP90N
Rds On (max) a Id, Vgs 82mOhm @ 20A, 10V 125mOhm @ 12A, 10V 360mOhm @ 6.5A, 10V 5.8mOhm @ 90A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 400 V 2200 pF @ 400 V 1143 pF @ 400 V 2120 pF @ 20 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA 4V @ 2.1mA 3.8V @ 300µA 3V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) 37W (Tc) 31W (Tc) 85W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperFET® III - SuperFET® III -

NTPF082N65S3F Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTPF082N65S3F PDF e la documentazione onsemi per NTPF082N65S3F - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Schede tecniche
NTPF082N65S3F.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Material Change 17/May/2023.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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