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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTP65N02R
NTP65N02R Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTP65N02R - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTP65N02R
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTP65N02R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 7.6A/58A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
NTB,NTP65N02R.pdf
In magazzino: 4820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTP65N02R
Specifiche tecniche onsemi - NTP65N02R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTP65N02R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Ta), 58A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTP65N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTP65N02R

Proprietà del prodotto NTP65N02R NTP6412ANG NTP6413ANG NTP6410ANG
Modello di prodotti NTP65N02R NTP6412ANG NTP6413ANG NTP6410ANG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 100 V 100 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 4.5 V 100 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) 167W (Tc) 136W (Tc) 188W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.6A (Ta), 58A (Tc) 58A (Tc) 42A (Tc) 76A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base NTP65N NTP6412 - NTP6410
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 20 V 3500 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V 18.2mOhm @ 58A, 10V 28mOhm @ 42A, 10V 13mOhm @ 76A, 10V
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

NTP65N02R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTP65N02R PDF e la documentazione onsemi per NTP65N02R - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NTB,NTP65N02R.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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