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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTP5404NRG
NTP5404NRG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTP5404NRG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTP5404NRG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTP5404NRG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N.pdf
In magazzino: 5240

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTP5404NRG
Specifiche tecniche onsemi - NTP5404NRG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTP5404NRG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 5.4W (Ta), 254W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 32 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 167A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTP540  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTP5404NRG

Proprietà del prodotto NTP5404NRG NTP52N10G NTP52N10 NTP5860NG
Modello di prodotti NTP5404NRG NTP52N10G NTP52N10 NTP5860NG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 167A (Tc) 60A (Ta) 60A (Ta) 220A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 100 V 100 V 60 V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V 30mOhm @ 26A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 5.4W (Ta), 254W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc) 283W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 32 V 3150 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 10760 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base NTP540 NTP52N NTP52N -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

NTP5404NRG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTP5404NRG PDF e la documentazione onsemi per NTP5404NRG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Oct/2014.pdf Reactivation Notice 06/Jan/2012.pdf
Schede tecniche
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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