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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTMSD3P303R2G
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NTMSD3P303R2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMSD3P303R2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMSD3P303R2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NTMSD3P303R2.pdf
NTMSD3P303R2.pdf
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMSD3P303R2G
Specifiche tecniche onsemi - NTMSD3P303R2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMSD3P303R2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie FETKY™  
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 730mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 24 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.34A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTMSD3  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMSD3P303R2G

Proprietà del prodotto NTMSD3P303R2G NTMT090N65S3HF NTMSD3P303R2 NTMSD3P102R2SG
Modello di prodotti NTMSD3P303R2G NTMT090N65S3HF NTMSD3P303R2 NTMSD3P102R2SG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) - - Schottky Diode (Isolated)
Vgs (Max) ±20V ±30V - ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 5V @ 860µA - 2.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 24 V 2930 pF @ 400 V - 750 pF @ 16 V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 4-PowerTSFN - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie FETKY™ SuperFET® III, FRFET® - FETKY™
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.34A (Ta) 36A (Tc) - 2.34A (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base NTMSD3 - NTMSD3 NTMSD3
Dissipazione di potenza (max) 730mW (Ta) 272W (Tc) - 730mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 650 V - 20 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V - 25 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V 90mOhm @ 18A, 10V - 85mOhm @ 3.05A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 4-PQFN (8x8) - 8-SOIC
Tipo FET P-Channel N-Channel - P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)

NTMSD3P303R2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMSD3P303R2G PDF e la documentazione onsemi per NTMSD3P303R2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Apr/2009.pdf
Schede tecniche
NTMSD3P303R2.pdf
Foglio dati HTML
NTMSD3P303R2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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