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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTMS10P02R2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMS10P02R2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMS10P02R2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NTMS10P02R2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 45090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMS10P02R2G
Specifiche tecniche onsemi - NTMS10P02R2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMS10P02R2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 16 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTMS10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMS10P02R2G

Proprietà del prodotto NTMS10P02R2G NTMFS6H848NT1G NTMS4177PR2G NTMS4107NR2G
Modello di prodotti NTMS10P02R2G NTMFS6H848NT1G NTMS4177PR2G NTMS4107NR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 8-SOIC 8-SOIC
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V 9.4mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 11.4A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 16 V 1180 pF @ 40 V 3100 pF @ 24 V 6000 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 80 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 3.7W (Ta), 73W (Tc) 840mW (Ta) 930mW (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta) 13A (Ta), 57A (Tc) 6.6A (Ta) 11A (Ta)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 4V @ 70µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V 16 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 45 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base NTMS10 NTMFS6 NTMS41 NTMS41

NTMS10P02R2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMS10P02R2G PDF e la documentazione onsemi per NTMS10P02R2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN Design/Specifica
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Schede tecniche
NTMS10P02R2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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