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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTMFS4925NT3G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTMFS4925NT3G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMFS4925NT3G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMFS4925NT3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN, 5 Leads
Scheda dati
NTMFS4925N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMFS4925NT3G
Specifiche tecniche onsemi - NTMFS4925NT3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMFS4925NT3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 920mW (Ta), 23.2W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1264 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta), 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTMFS4925  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMFS4925NT3G

Proprietà del prodotto NTMFS4925NT3G NTMFS4934NT1G NTMFS4921NT3G NTMFS4898NFT1G
Modello di prodotti NTMFS4925NT3G NTMFS4934NT1G NTMFS4921NT3G NTMFS4898NFT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V 34 nC @ 4.5 V 25 nC @ 11.5 V 49.5 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 920mW (Ta), 23.2W (Tc) 930mW (Ta), 69.44W (Tc) 870mW (Ta), 38.5W (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1264 pF @ 15 V 5505 pF @ 15 V 1400 pF @ 12 V 3233 pF @ 12 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V 2mOhm @ 30A, 10V 6.95mOhm @ 30A, 10V 3mOhm @ 30A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta), 48A (Tc) 17.1A (Ta), 147A (Tc) 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 13.2A (Ta), 117A (Tc)
Numero di prodotto di base NTMFS4925 NTMFS4934 NTMFS4 NTMFS4
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 11.5V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

NTMFS4925NT3G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMFS4925NT3G PDF e la documentazione onsemi per NTMFS4925NT3G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
NTMFS4925N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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