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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTMFD5C674NLT1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTMFD5C674NLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMFD5C674NLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMFD5C674NLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
T6 60V LL S08FL DS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
NTMFD5C674NL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 16335

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMFD5C674NLT1G
Specifiche tecniche onsemi - NTMFD5C674NLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMFD5C674NLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 25µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V  
Potenza - Max 3W (Ta), 37W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 42A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NTMFD5  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMFD5C674NLT1G

Proprietà del prodotto NTMFD5C674NLT1G NTMFD4C86NT1G NTMFD4C86NT3G NTMFD4C87NT1G
Modello di prodotti NTMFD5C674NLT1G NTMFD4C86NT1G NTMFD4C86NT3G NTMFD4C87NT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 22.2nC @ 10V 22.2nC @ 10V 22.2nC @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 42A (Tc) 11.3A, 18.1A 11.3A, 18.1A 11.7A, 14.9A
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 30V 30V 30V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V 1153pF @ 15V 1153pF @ 15V 1252pF @ 15V
Rds On (max) a Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V 5.4mOhm @ 30A, 10V 5.4mOhm @ 30A, 10V 5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 25µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Contenitore dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6) 8-DFN (5x6)
Numero di prodotto di base NTMFD5 NTMFD4 NTMFD4 NTMFD4
Potenza - Max 3W (Ta), 37W (Tc) 1.1W 1.1W 1.1W
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

NTMFD5C674NLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMFD5C674NLT1G PDF e la documentazione onsemi per NTMFD5C674NLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
Schede tecniche
NTMFD5C674NL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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