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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTMD4884NFR2G
NTMD4884NFR2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTMD4884NFR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMD4884NFR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMD4884NFR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NTMD4884NF.pdf
In magazzino: 3780

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMD4884NFR2G
Specifiche tecniche onsemi - NTMD4884NFR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMD4884NFR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 48mOhm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 770mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTMD48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMD4884NFR2G

Proprietà del prodotto NTMD4884NFR2G NTMD4184PFR2G NTMD4840NR NTMD4840N
Modello di prodotti NTMD4884NFR2G NTMD4184PFR2G NTMD4840NR NTMD4840N
fabbricante onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 48mOhm @ 4A, 10V 95mOhm @ 3A, 10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 15 V 360 pF @ 10 V - -
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta) 2.3A (Ta) - -
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) - -
Numero di prodotto di base NTMD48 - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Dissipazione di potenza (max) 770mW (Ta) 770mW (Ta) - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -

NTMD4884NFR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMD4884NFR2G PDF e la documentazione onsemi per NTMD4884NFR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Copper Wire 12/May/2009.pdf
Schede tecniche
NTMD4884NF.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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