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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTMC083NP10M5L
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTMC083NP10M5L - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTMC083NP10M5L
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTMC083NP10M5L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
NTMC083NP10M5L
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NTMC083NP10M5L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 81780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTMC083NP10M5L
Specifiche tecniche onsemi - NTMC083NP10M5L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTMC083NP10M5L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 222pF @ 50V, 525pF @ 50V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base NTMC083  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTMC083NP10M5L

Proprietà del prodotto NTMC083NP10M5L NTMD4820NR2G NTMD2C02R2G NTMD2C02R2
Modello di prodotti NTMC083NP10M5L NTMD4820NR2G NTMD2C02R2G NTMD2C02R2
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 222pF @ 50V, 525pF @ 50V 940pF @ 15V 1100pF @ 10V 1100pF @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V 20mOhm @ 7.5A, 10V 43mOhm @ 4A, 4.5V 43mOhm @ 4A, 4.5V
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) 4.9A 5.2A, 3.4A 5.2A, 3.4A
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V 7.7nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100V 30V 20V 20V
Numero di prodotto di base NTMC083 NTMD4820 NTMD2C NTMD2C
Potenza - Max 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) 750mW 2W 2W
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Serie - - - -

NTMC083NP10M5L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTMC083NP10M5L PDF e la documentazione onsemi per NTMC083NP10M5L - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NTMC083NP10M5L.pdf

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Europa Germania 5
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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