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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTLLD4901NFTWG
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTLLD4901NFTWG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTLLD4901NFTWG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTLLD4901NFTWG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
NTLLD4901NF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTLLD4901NFTWG
Specifiche tecniche onsemi - NTLLD4901NFTWG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTLLD4901NFTWG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3x3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V  
Potenza - Max 800mW, 810mW  
Contenitore / involucro 8-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A, 6.3A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NTLLD4901  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTLLD4901NFTWG

Proprietà del prodotto NTLLD4901NFTWG NTLTD7900ZR2G NTLUD3A50PZTAG NTLUD3A260PZTAG
Modello di prodotti NTLLD4901NFTWG NTLTD7900ZR2G NTLUD3A50PZTAG NTLUD3A260PZTAG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-WDFN Exposed Pad 8-VDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 800mW, 810mW 1.5W 500mW 500mW
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WDFN (3x3) 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base NTLLD4901 NTLTD79 NTLUD3 NTLUD3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A, 6.3A 6A 2.8A 1.3A
Rds On (max) a Id, Vgs 17.4mOhm @ 9A, 10V 26mOhm @ 6.5A, 4.5V 50mOhm @ 4A, 4.5V 200mOhm @ 2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 18nC @ 4.5V 10.4nC @ 4.5V 4.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V 15pF @ 16V 920pF @ 15V 300pF @ 10V

NTLLD4901NFTWG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTLLD4901NFTWG PDF e la documentazione onsemi per NTLLD4901NFTWG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
NTLLD4901NF.pdf
PCN Design/Specifica
Copper Wire Conversion 24/Feb/2015.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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