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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTJD4158CT2G
NTJD4158CT2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTJD4158CT2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTJD4158CT2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTJD4158CT2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
NTJD4158C.pdf
In magazzino: 5000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTJD4158CT2G
Specifiche tecniche onsemi - NTJD4158CT2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTJD4158CT2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 100µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V  
Potenza - Max 270mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V, 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA, 880mA  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base NTJD4158  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTJD4158CT2G

Proprietà del prodotto NTJD4158CT2G NTJD4152PT1G NTJD4152PT1 NTJD5121NT1G
Modello di prodotti NTJD4158CT2G NTJD4152PT1G NTJD4152PT1 NTJD5121NT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base NTJD4158 NTJD4152 NTJD4152 NTJD5121
Serie - - - -
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V 2.2nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 0.9nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V, 20V 20V 20V 60V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V 155pF @ 20V 155pF @ 20V 26pF @ 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA, 880mA 880mA 880mA 295mA
Configurazione N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Potenza - Max 270mW 272mW 272mW 250mW
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 100µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA

NTJD4158CT2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTJD4158CT2G PDF e la documentazione onsemi per NTJD4158CT2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 27/Jan/2012.pdf Mult Dev EOL 17/Apr/2019.pdf
Schede tecniche
NTJD4158C.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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